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2SB1197KT146Q中文资料

2SB1197KT146Q图片

2SB1197KT146Q外观图

  • 大小:93.4KB
  • 厂家:Rohm
  • 描述: TRANSISTOR,PNP,32V,0.8A,SOT-346; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-32V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:120; Transistor Case Style:SC-59; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:200MHz
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大:200mW
  • 频率 - 转换:200MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:3-SMT
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:2SB1197KT146QTR

2SB1197KT146Q供应商

更新时间:2023-01-18 00:49:44
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